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第四代半导体材料的佼佼者 2023年半导体材料概念股龙头一览
第四代半导体材料的佼佼者氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比，氧化镓的禁带宽度远高于后两者，其禁带宽度达到4 9eV，高于碳化硅的3 25eV和氮化镓的3 4eV 而氧化镓的击穿场强理论上可以达到8eV cm，是氮化镓的2 5倍，是碳化硅的3倍多。从功率半导体特性来看，与前代半导体材料相比，氧化镓材料具备更高的
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时间：2023-03-15
